Робота над наступним стандартом пам’яті Double Data Rate набирає обертів. Як повідомляє південнокорейське видання The Elec, великі чипмейкери, а саме SK hynix, Samsung і Micron, уже розпочали розробку мікросхем DDR6 у своїх лабораторіях та співпрацюють у цьому напрямку з виробниками підкладок. Ця спільна робота ведеться під наглядом комітету JEDEC, який курирує розробку нового стандарту.
Варто додати, що стандарт пам’яті Double Data Rate 6 ще не був офіційно затверджений. Наразі чипмейкери разом із партнерами відштовхуються від попередніх специфікацій майбутніх мікросхем. Нагадаємо, що ключові особливості оперативної пам’яті DDR6 6 організація JEDEC оголосила ще 2024 року.
За планами JEDEC, стандарт DDR6 дасть змогу збільшити швидкість передавання даних до 8,8−17,6 Гбіт/с, а надалі цей показник має зрости до 21 Гбіт/с. Одним із головних нововведень стане використання чотирьох 24-бітних підканалів замість двох 32-бітних у планок DDR5. Також очікується більш широке використання модулів формату CAMM2.
Що стосується термінів старту комерційного виробництва DDR6, то він відбудеться орієнтовно у 2028–2029 роках.
Джерело:
VideoCardz