SK hynix сообщила о запуске массового производства 238-слойных микросхем памяти 3D NAND с тремя битами на ячейку (TLC). Для новых чипов завялены скорости передачи данных до 2,4 Гбит/с, что на 50% больше, чем у решений прошлого поколения. Это позволяет, к примеру, использовать их в высокоскоростных NVMe-накопителях с интерфейсом PCI Express 5.0 x4.
При выпуске 238-слойных чипов SK hynix использует фирменную технологию «4D NAND», которая подразумевает перенос логических цепей управления под сам трёхмерный массив ячеек. Из особенностей новинок чипмейкер отмечает снижение энергопотребления микросхем на 21% во время чтения и увеличение эффективности производства на 34%, то есть суммарная ёмкость чипов на одной пластине ощутимо подросла.
Сейчас компания SK hynix проводит испытания на совместимость с мировыми производителями смартфонов, а в будущем планирует использовать 238-слойные микросхемы при выпуске накопителей PCI-E 5.0 и серверных SSD большой ёмкости.
Источник:
SK hynix