Ученые создали новый тип памяти, которая значительно ускорит искусственный интеллект

Ученые создали новый тип памяти, которая значительно ускорит искусственный интеллект

Исследовательская группа под руководством Кембриджского университета разработала новую конструкцию компьютерной памяти, которая значительно повысит производительность и снизит энергопотребление интернета и коммуникационных технологий.

Что известно

По данным университета, искусственный интеллект, интернет и другие основанные на данных технологии потребуют более 30% мирового потребления электроэнергии в течение следующего десятилетия. Перемещение информации между устройствами хранения и обработки требует много энергии и времени, говорится в исследовании.

Ученые экспериментировали с новым типом технологии, известной как память с резистивным переключением. В отличие от существующих устройств, которые кодируют данные в двух состояниях (единица или ноль), разработка ученых позволяет использовать непрерывный диапазон состояний.

Этого удалось достичь путем подачи электрического тока на определенные материалы, что приводит к увеличению или уменьшению электрического сопротивления. Различные изменения в электрическом сопротивлении создают различные возможные состояния для хранения данных.

"Типичный USB-накопитель, основанный на непрерывном диапазоне, сможет хранить, например, в десять-сто раз больше информации", — сказал ведущий автор исследования Маркус Хелленбранд (Markus Hellenbrand).

Команда разработала прототип устройства на основе оксида гафния. До сих пор он оказывался сложным для применения в памяти с резистивным переключением из-за отсутствия структуры материала на атомном уровне. Однако ученые нашли решение: добавили в смесь барий.

Это позволило создать высокоструктурированные бариевые "мостики" между толстыми пленками оксида гафния. В точке пересечения этих "мостиков" с контактами устройств создается энергетический барьер, позволяющий электронам пересекать его.

Энергетический барьер можно повышать или понижать. Это изменяет сопротивление композита оксида гафния и позволяет материалу существовать в нескольких состояниях.

По словам ученых, финальный результат оказался похожим на работу синапса в мозге, которые могут хранить и обрабатывать информацию в одном и том же месте. Исследователи считают, что это может привести к созданию устройств компьютерной памяти с гораздо большей плотностью и производительностью, но с меньшим энергопотреблением.

Кембриджское предприятие, коммерческое подразделение университета, подало заявку на патент. Теперь ученые работают с промышленностью для проведения более масштабных исследований. Они утверждают, что интеграция оксида гафния в существующие производственные процессы не вызовет затруднений, поскольку материал уже используется в изготовлении полупроводников.

Источник: The Next Web.

Подписывайтесь на новости AIcybernews.com в Twitter и Facebook

Другие новости

0 0 голоса
Рейтинг статьи
Подписаться
Уведомить о
guest
0 комментариев
Старые
Новые Популярные
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии

Актуально

Последние новости

РФ может пойти по модели криптобанков Беларуси

Беларусь делает ставку на создание криптобанков как новой формы финансового института....

Razer випускає флагманську ігрову клавіатуру Huntsman Signature Edition за $500

Компанія Razer, відомий виробник ігрової периферії, представила дротову клавіатуру преміального рівня Huntsman Signature Edition. В описі на офіційному сайті сказано, що це головна безкомпромісна...

Сознание — атавизм

В романе «Ложная слепота» канадский биолог и писатель Питер Уоттс предложил радикальную гипотезу: разум может быть эффективным без сознания. Спустя почти 20 лет...

Бутерин раскритиковал автономный ИИ и раскрыл детали масштабных обновлений Ethereum

Виталик Бутерин призвал не «увеличивать дистанцию обратной связи» между людьми и искусственным интеллектом. Это плохая идея для будущего, считает сооснователь Ethereum. ...