Гейтс прогнозирует радикальные изменения в рабочих местах и образовании от ИИ в ближайшие годы

Гейтс прогнозирует радикальные изменения в рабочих местах и образовании от ИИ в ближайшие годы
GatesNotes

Основатель корпорации Microsoft Билл Гейтс (Bill Gates) опубликовал прогноз относительно влияния искусственного интеллекта в ближайшие годы. По его мнению, технология кардинально изменит рабочие места, здравоохранение и образование.

Что известно

Гейтс считает, что страны с высоким уровнем доходов, к которым относятся и США, активно приступят к внедрению ИИ в течение полутора-двух лет.

На рабочих местах технологии ИИ будут в основном выступать "вторыми пилотами", помогая сотрудникам выполнять задачи. Некоторые компании уже разработали внутренние инструменты ИИ для обучения персонала, отметил Гейтс.

В медицине ученые пытаются использовать ИИ для борьбы с устойчивостью к антибиотикам, лечения рискованных беременностей и других задач. По словам Гейтса, большинство этих разработок пока на ранней стадии.

Наконец, в образовании миллиардер видит огромный потенциал адаптивных обучающих платформ на базе ИИ. Они смогут вовлекать учеников и подстраиваться под их потребности и культурный контекст.

Источник: GatesNotes

Подписывайтесь на новости AIcybernews.com в Twitter и Facebook

Другие новости

0 0 голоса
Рейтинг статьи
Подписаться
Уведомить о
guest
0 комментариев
Старые
Новые Популярные
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии

Актуально

Последние новости

Свет в конце нейрона: как ученые научились «хакать» связи в мозге приматов

Светящиеся нейронные пути человеческого мозга. Источник: AI ...

LG UltraGear evo 39GX950B-B: 5K-монитор, который умеет быть быстрым, когда вам лень апгрейдить видеокарту

Новый OLED-монитор LG балансирует между скоростью игры и четкостью изображения. Источник: LG ...

TSMC планує розширювати виробництво в Аризоні та створити великий виробничий кластер

Тайванський гігант TSMC планує значно розширити свої виробничі потужності в США. Завод в Аризоні вже випускає чипи за технологіями 5 нм і 4 нм,...