Представлено прогноз щодо розвитку технологій від Корейського товариства напівпровідникових інженерів (The Institute of Semiconductor Engineers). Дослідники з Південної Кореї склали коротку дорожню карту на найближчі 15 років за дев’ятьма напрямками: напівпровідникові пристрої та процеси, напівпровідникові технології для ШІ, напівпровідники для оптичних з’єднань, напівпровідникові датчики для бездротових з’єднань, напівпровідники для дротових з’єднань, пакування чипів, квантові обчислення та інше.
Зараз провідні напівпровідникові компанії запускають серійне виробництво на базі техпроцесу 2 нм. Серед них компанія Samsung, яка пропонує свій варіант 2 нм із транзисторами GAA (Gate-All-Around). Але корейський гігант уже працює над техпроцесом 2 нм другого покоління з поліпшеною версією GAA і технологією SF2P+. Samsung сформувала команду для досліджень у сфері розробки 1‑нм чипів і розраховує освоїти масове виробництво за цією технологією у 2029 році.
Після цього компаніям доведеться перейти в ангстремну (A) еру. При розмірах менше ніж 1 нм розробники зіткнуться з низкою труднощів, що потребує серйозних зусиль і капіталовкладень. Але на думку фахівців до 2040 року компанії вийдуть на технологію виробництва 0,2 нм. Це потребуватиме впровадження нової транзисторної структури CFET. Також буде освоєно технологію виробництва монолітних 3D-чипів, які складаються з різних кристалів.
Паралельно відбудуться значні зміни у виробництві пам’яті DRAM з переходом від 11 нм до 6 нм. Протягом найближчих років також буде збільшено щільність флеш-пам’яті NAND з 321 шару до 2000 шарів. Високошвидкісна пам’ять HBM перейде від 12 шарів до 30 шарів і більше, що забезпечить зростання пропускної здатності з 2 ТБ/с до 128 ТБ/с. Що стосується процесорів для ШІ, то від найшвидших сучасних рішень до 10 TOPS (трильйонів операцій за секунду) виробники перейдуть до чипів із потенціалом 1000 TOPS для навчання та 100 TOPS для виведення (інференсу).
Джерело:
Wccftech