Стало відомо, що низка колишніх керівників і співробітників Samsung причетні до крадіжки технологій і секретів, пов’язаних із виробництвом пам’яті DRAM на базі 10 нм. Корейські джерела пишуть про розслідування Центральної окружної прокуратури Сеула, яка винесла постанову про арешт чинного директора китайської компанії Changshin Memory Technology (CXMT) за порушення правил відповідно до «Закону про захист промислових технологій». Важливо зазначити, що директор CXMT — це колишній співробітник Samsung, який, як стверджується, зіграв вирішальну роль у розробці 10-нм технології DRAM для CXMT. Також прокуратора винесла постанову про арешт ще чотирьох осіб, які наразі працюють у CXMT.
Прокуратура стверджує, що CXMT розробила складний план з прискорення розробки техпроцесу 10 нм DRAM через наймання ключових корейських фахівців. На відміну від технології виробництва CPU і GPU, це досить сучасний техпроцес для пам’яті. Samsung інвестувала близько 1,6 трильйона вон (1,08 мільярда доларів) протягом 5 років у розробку власної технології 10 нм DRAM. Під час розслідування з’ясовано, що колишній співробітник Samsung злив інформацію про сотні етапів технологічного процесу і навіть перевірив цю інформацію. Інший співробітник у 2016 році передав великі обсяги рукописної інформації про технології DRAM. І це лише деякі випадки дій на користь конкурента. Також CXMT використовувало підставну компанію для переманювання співробітників.
Раніше суд у Південній Кореї вже засудив одного з високопоставлених колишніх керівників Samsung за крадіжку секретів, пов’язаних з 18 нм DRAM на користь CXMT. На цей час CXMT стала головним виробником пам’яті в Китаї. Компанія випускає передові мікросхеми, включно з DDR5 і HBM3. Станом на кінець року вона виробляє до 280 тисяч пластин на місяць, що відповідає 15% світового виробництва DRAM.
Джерело:
Wccftech