Ученые создали новый тип памяти, которая значительно ускорит искусственный интеллект

Ученые создали новый тип памяти, которая значительно ускорит искусственный интеллект

Исследовательская группа под руководством Кембриджского университета разработала новую конструкцию компьютерной памяти, которая значительно повысит производительность и снизит энергопотребление интернета и коммуникационных технологий.

Что известно

По данным университета, искусственный интеллект, интернет и другие основанные на данных технологии потребуют более 30% мирового потребления электроэнергии в течение следующего десятилетия. Перемещение информации между устройствами хранения и обработки требует много энергии и времени, говорится в исследовании.

Ученые экспериментировали с новым типом технологии, известной как память с резистивным переключением. В отличие от существующих устройств, которые кодируют данные в двух состояниях (единица или ноль), разработка ученых позволяет использовать непрерывный диапазон состояний.

Этого удалось достичь путем подачи электрического тока на определенные материалы, что приводит к увеличению или уменьшению электрического сопротивления. Различные изменения в электрическом сопротивлении создают различные возможные состояния для хранения данных.

"Типичный USB-накопитель, основанный на непрерывном диапазоне, сможет хранить, например, в десять-сто раз больше информации", — сказал ведущий автор исследования Маркус Хелленбранд (Markus Hellenbrand).

Команда разработала прототип устройства на основе оксида гафния. До сих пор он оказывался сложным для применения в памяти с резистивным переключением из-за отсутствия структуры материала на атомном уровне. Однако ученые нашли решение: добавили в смесь барий.

Это позволило создать высокоструктурированные бариевые "мостики" между толстыми пленками оксида гафния. В точке пересечения этих "мостиков" с контактами устройств создается энергетический барьер, позволяющий электронам пересекать его.

Энергетический барьер можно повышать или понижать. Это изменяет сопротивление композита оксида гафния и позволяет материалу существовать в нескольких состояниях.

По словам ученых, финальный результат оказался похожим на работу синапса в мозге, которые могут хранить и обрабатывать информацию в одном и том же месте. Исследователи считают, что это может привести к созданию устройств компьютерной памяти с гораздо большей плотностью и производительностью, но с меньшим энергопотреблением.

Кембриджское предприятие, коммерческое подразделение университета, подало заявку на патент. Теперь ученые работают с промышленностью для проведения более масштабных исследований. Они утверждают, что интеграция оксида гафния в существующие производственные процессы не вызовет затруднений, поскольку материал уже используется в изготовлении полупроводников.

Источник: The Next Web.

Подписывайтесь на новости AIcybernews.com в Twitter и Facebook

Другие новости

0 0 голоса
Рейтинг статьи
Подписаться
Уведомить о
guest
0 комментариев
Старые
Новые Популярные
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии

Актуально

Последние новости

Сэм Альтман обвинил крупные компании в использовании ИИ как предлога для увольнений

Некоторые фирмы используют искусственный интеллект как предлог для увольнений, которые случились бы в любом случае. Такое заявление сделал CEO OpenAI Сэм Альтман в...

Пользователи Google ждут падения цены биткоина до нуля

Объем поисковых запросов в Google о падении цены биткоина до нуля достиг 100 пунктов. Это новый максимум с июня 2022 года, когда рынок...

Презентація технологій NVIDIA у Східній Європі: тотальний ШІ

Слідами міжнародної виставки CES 2026, що пройшла у Лас-Вегасі на початку січня, компанія NVIDIA влаштувала презентацію анонсованих там технологій для технологічних медіа зі Східної...